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BSZ035N03MS G /MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
BSZ035N03MS G的规格信息
BSZ035N03MS G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSDSON-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:18 A

Rds On-漏源导通电阻:3.5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.1 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:3.3 mm

系列:OptiMOS 3M

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:94 S

下降时间:4.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.8 ns

工厂包装数量:5000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:38 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别名:BSZ035N03MSGATMA1 BSZ35N3MSGXT SP000311511

供应商BSZ035N03MS G
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